WEP CVP21電化學(xué)C-V剖面濃度測量儀 德國WEP公司的CVP21電化學(xué)C-V剖面濃度測試(shì)儀可高效 、准(zhǔn)確的測量半(bàn)導體材料（結構(gòu) ，層）中的摻雜濃度分布(bù) 。選用合適的電解液與材料接觸 、腐蝕 ，從而得到(dào)材料的摻雜濃度分布(bù) 。電容值電壓掃描(miáo)和腐蝕過程由軟件全自動控(kòng)制 。 電化學(xué)ECV剖面濃度測試(shì)儀主要用於半(bàn)導體材料的研(yán)究及開發 ，其原(yuán)理(lǐ)是使用電化學(xué)電容-電壓法來測量半(bàn)導體材料的摻雜濃度分布(bù) 。電化學(xué)ECV（

開爾文(wén)探針（Kelvin Probe）是一種非接觸無損震蕩電容裝置 ，用於測量導體材料的功函數（Work Function）或半(bàn)導體 、絕緣表面的表面勢（Surface Potential） 。材料表面的功函數通常(cháng)由上層的1-3層原(yuán)子或分子決(jué)定 ，所以開爾文(wén)探針是一種的表面分析技術 。主要型(xíng)號 ：KP020 （單(dān)點(diǎn)開爾文(wén)探針） ，SKP5050（掃描(miáo)開爾文(wén)探針） 。

光學(xué)薄膜(mó)測厚儀 薄膜(mó)表面或界面的反射光會與從基底的反射光相干涉 ，干涉的發生(shēng)與膜(mó)厚及折光系數等有(yǒu)關 ，因此可通過計算得到(dào)薄膜(mó)的厚度 。光干涉法是一種無損 、且快速的光學(xué)薄膜(mó)厚度測量技術 ，我們的薄膜(mó)測量系統採用光干涉原(yuán)